技术参数

一、腔体结构配置

设备分为沉积真空室、进样室双独立腔体，两套腔体可独立完成手动/自动抽真空，腔体间传输阀设置1000Pa压差联锁保护；样品台升降旋转机构用户自备，配套驱动电机型号待定。

1. 沉积真空室

1. 腔体规格：1只，500×500×420mm，带观察窗，尺寸可微调

2. 主真空机组：1200L分子泵1台；配套8L/S机械泵1台

3. 真空阀门：

- 电动插板阀CF200 1只（连通真空室与主泵，节流）

- 气动预抽阀DN40、前级阀DN40各1台

- 气动进气总阀DN16、放气阀DN16各1台

4. 真空测量：NYGF-Ⅱ数显复合真空计1台，配套ZJ52T、ZJ27金属裸规1套

5. 气路单元：费尔顿质量流量控制器3只，气路配比Ar 100sccm、N₂ 50sccm、O₂ 50sccm；配套自动截止阀3只控制气路通断

2. 进样室

1. 腔体规格：1个，Φ200*400，带观察窗前开门，尺寸可微调

2. 真空机组：600L分子泵2 1台；6L/S机械泵1台

3. 真空阀门：

- 气动插板阀CF200 1只（连通沉积室）

- 电动插板阀CF150 1只（连通分子泵2）

- 气动预抽阀DN40、前级阀DN40各1台

- 气动放气阀DN16 1台

4. 真空测量：NYGF-Ⅱ数显复合真空计1台，配套ZJ52T、ZJ27金属裸规1套

5. 传输机构：CF35机械手1只，用于基片转运

二、基片架与磁控溅射系统

1. 基片承载：800℃高温样品台1套；基片规格配套套件1套（用户自备基片）

2. 基片辅助功能：负偏压装置1套；配套温控电源1套

3. 溅射靶源：3套3英寸磁控溅射靶，带自动挡板及挡板控制机构

4. 溅射电源配置

- 射频溅射电源：2套，单台600W，内置自动匹配器

- 脉冲溅射主电源：1套，1000W

- 脉冲偏压电源：1套，-1000W，用于基片清洗、辅助沉积

5. 配套辅机

- 设备机架1套

- 水冷系统1台，功率2KW

6. 控制系统：全自动控制单元1台，采用PLC+触摸屏+配套控制软件，可在操作界面设置工艺参数、工艺时序

三、标准配套附件

标准配件套件1套，包含工装夹具、连接螺丝、无氧铜密封垫圈、氟橡胶密封圈等全套密封与安装耗材。

四、核心控制逻辑

1. 双腔体独立抽真空，腔体传输阀压差1000Pa安全联锁保护，手动推送样品；

2. 人机交互界面完成溅射功率、气体流量、工艺时长等全部参数设定；

3. 样品台支持升降、旋转动作，配套驱动电机由用户自行配置。