概述

磁控溅射是利用磁场束缚电子的运动(即磁控管模式)，其结果导至轰击基片的高能电子的减少和轰击靶材的高能离子的增多，使其具备了“低温”、“高速”两大特点。磁控溅射法制备的薄膜厚可控性和重复性好，薄膜与基片的附着能力强，膜层纯度高。可用于制备金属、氧化物薄膜绝緣膜半导体薄膜等类型薄膜。

工作原理

溅射沉积系统为一三靶溅射沉积系统，各靶可独立/顺次/共同工作，分布在一个圆周上。各靶固定在真空室顶板上，靶基距可以通过基片架的升降来调节(靶基距80mm~120mm可调)。基片架可升降，采用磁流体密封装置+步进电机驱动，满足基片旋转要求。转速0~30转/分钟连续可调

A.基片架功能

系统设一个基片架，可旋转+升降，同时可通过铁铬铝高温加热肆对基片在沉积涂层过程中进行加热;加热系统采用智能温控仪及电力组件，温度PID控制，最高可加热至600度。基片旋转利用磁流体密封装置与步进电机配套实现。

B.镀膜过程

单质薄膜的制备:在某只靶开启的情况下，可在基片上完成单质薄膜的制备。多层膜的制备:三只磁控溅射靶可根据需要，按照一定的启停顺序(辅以样品架的自转，均通过计算机控制），完成多层膜的镀制过程。

混合物薄膜的制备：三只靶中的两只/三只同时工作；可以完成具有两/三种成分组成的混合物薄膜制备。